Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 641-6079
Herst. Teile-Nr.:: NP82N055PUG-E2-AZ
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: NP82N055PUG-E2-AZ
Marke:: Renesas Electronics

ESD Control Selection Guide V1
NP82N055PUG-E2-AZ - Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	82 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	1800 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10mm
Breite	9.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	106 nC @ 10 V
Höhe	4.45mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics

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