onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3 A 500 mW, 3-Pin FDN339AN SOT-23

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671-0431
Herst. Teile-Nr.:
FDN339AN
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.92mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.4 mm

Höhe

0.94mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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