onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

0,99 €

(ohne MwSt.)

1,18 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2.100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
5 +0,198 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-0731P
Herst. Teile-Nr.:
FDS8896
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4mm

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.