onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7 A 1.6 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
FDS8984
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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