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    onsemi QFET FQB34N20LTM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 31 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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    5 - 453,616 €18,08 €
    50 - 953,068 €15,34 €
    100 - 2452,452 €12,26 €
    250 - 4952,326 €11,63 €
    500 +2,136 €10,68 €

    *Bitte VPE beachten

    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    671-0898
    Herst. Teile-Nr.:
    FQB34N20LTM
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.31 A
    Drain-Source-Spannung max.200 V
    SerieQFET
    GehäusegrößeD2PAK (TO-263)
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.75 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.3,13 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Länge10.67mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs55 nC @ 5 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite9.65mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Höhe4.83mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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