onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 671-4963
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA70N10
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1,66 €
(ohne MwSt.)
1,98 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 420 Einheit(en) mit Versand ab 23. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,66 € |
| 10 + | 1,43 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4963
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA70N10
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5 mm | |
| Höhe | 18.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Serie QFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 15.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5 mm | ||
Höhe 18.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin FQA40N25 TO-3PN
- onsemi QFET Typ N-Kanal 3-Pin FQA24N60 TO-3PN
