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    onsemi QFET FQP17P10 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 16,5 A 10 W, 3-Pin TO-220AB

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    5 - 51,418 €7,09 €
    10 - 951,132 €5,66 €
    100 - 4950,896 €4,48 €
    500 - 9950,758 €3,79 €
    1000 +0,62 €3,10 €

    *Bitte VPE beachten

    RS Best.-Nr.:
    671-5048
    Herst. Teile-Nr.:
    FQP17P10
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.16,5 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    SerieQFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.190 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.10 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-30 V, +30 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite4.7mm
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Gate-Ladung typ. @ Vgs30 nC @ 10 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge10.1mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe9.4mm

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