STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 687-5103
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
6,58 €
(ohne MwSt.)
7,83 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 9.240 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,316 € | 6,58 € |
| 50 - 245 | 1,158 € | 5,79 € |
| 250 - 495 | 1,034 € | 5,17 € |
| 500 + | 0,888 € | 4,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5103
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 25 A 100 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 30 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-252