STMicroelectronics STripFET II STD35NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 920-6604
Herst. Teile-Nr.:: STD35NF06LT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET II STD35NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 920-6604
Herst. Teile-Nr.:: STD35NF06LT4
Marke:: STMicroelectronics

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET II
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	17 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	80 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-15 V, +15 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 4,5 V
Länge	6.6mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.2mm
Höhe	2.4mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics STripFET II STD35NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

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