Vishay Si4134DY N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14 A 5 W, 8-Pin SOIC

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710-3320P
Herst. Teile-Nr.:
Si4134DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4134DY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.014Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4mm

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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