Taiwan Semiconductor TSM2310CX RFG N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 743-6052
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2310CX RFG
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- Herst. Teile-Nr.:
- TSM2310CX RFG
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 1.7mm | |
| Länge | 3.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,6 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 1.7mm | ||
Länge 3.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,6 nC @ 10 V | ||
Höhe 1.2mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN