DiodesZetex ZXMP10A18K Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 5.9 A 10.2 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 751-5360
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP10A18KTC
- Marke:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMP10A18KTC
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ZXMP10A18K | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 10.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ZXMP10A18K | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 10.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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