Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.3 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 752-8460P
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA07N60C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 9.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 9.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.