Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.8 W, 3-Pin SOT-223

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-2810P
Herst. Teile-Nr.:
BSP320SH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

SIPMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.6mm

Länge

6.5mm

Breite

3.5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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