onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 300 V / 28 A 250 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8970
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB28N30TM
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
3,96 €
(ohne MwSt.)
4,72 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 780 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,98 € | 3,96 € |
| 20 - 198 | 1,705 € | 3,41 € |
| 200 + | 1,48 € | 2,96 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-8970
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB28N30TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 129mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 11.33 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 129mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 11.33 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDB15N50 TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDB44N25TM TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDB33N25TM TO-263