onsemi UniFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 33 A 235 W, 3-Pin FDB33N25TM TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
FDB33N25TM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

UniFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

94mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

235W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Breite

11.33 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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