Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 760-4438P
Herst. Teile-Nr.:: IRLML2244TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	95mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.3W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	12V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.04mm
	Höhe	1.02mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	1.4mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SOT-23
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.3W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 12V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.04mm
	Höhe 1.02mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 1.4mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 20 V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML2244TRPBF

Dieser MOSFET ist für robuste Leistung in einem kompakten SOT-23-Gehäuse ausgelegt. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 4,3 A und einer Drain-Source-Spannung von 20 V eignet er sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie. Das Gerät verfügt über einen Erweiterungsmodus und bietet zuverlässige Leistung in Hochtemperaturumgebungen, wobei die Funktionalität bei Temperaturen von bis zu +150°C erhalten bleibt.

Eigenschaften und Vorteile

• Niedriger RDS(on) von 54mΩ minimiert Schaltverluste

• Kompatibel mit Industriestandard-Pinout für einfache Integration

• Hohe Zuverlässigkeit mit einer maximalen Verlustleistung von 1,3 W

• Enger Temperaturbereich für optimale Betriebseffizienz

• Geringere Gate-Ladung erhöht die Gesamteffizienz

Anwendungen

• Ideal für Niederspannungsschaltungen in der Elektronik

• Geeignet für das Leistungsmanagement in DC-DC-Wandlern

• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für Automatisierungsanlagen

• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen für ein verbessertes Energiemanagement

Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) in diesem Bauteil?

Der niedrige RDS(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was zu einer verbesserten Effizienz und Leistung führt, insbesondere bei Schaltanwendungen.

Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Schaltungsentwicklung aus?

Ein Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C ermöglicht vielseitige Anwendungen, so dass der MOSFET in verschiedenen Betriebsumgebungen, von extremer Kälte bis zu großer Hitze, zuverlässig funktioniert.

Was macht dieses Gerät für die Oberflächenmontage geeignet?

Das kompakte SOT-23-Gehäusedesign und die kompatible Pinbelegung erleichtern die Integration in PCB-Layouts, erhöhen die Fertigungseffizienz und ermöglichen die Massenproduktion.

Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?

Ja, aufgrund seiner hohen thermischen Beständigkeit und Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen eignet es sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, bei denen die Wärmeableitung entscheidend ist.