STMicroelectronics Einfach STripFET V Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 25 V Erweiterung / 80 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9957
- Herst. Teile-Nr.:
- STD95N2LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 760-9957
- Herst. Teile-Nr.:
- STD95N2LH5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STripFET V | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25/25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Länge | 6.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STripFET V | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25/25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Länge 6.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
N-Kanal STripFETTM V, STMicroelectronics
STripFETTM-MOSFETs mit einem breiten Breakout-Spannungsbereich bieten eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
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