STMicroelectronics MDmesh STP26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 761-0083
Herst. Teile-Nr.:: STP26NM60N
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STP26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 761-0083
Herst. Teile-Nr.:: STP26NM60N
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.135 Ohm, 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	MDmesh
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	165 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	140 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Höhe	15.75mm

STMicroelectronics MDmesh STP26NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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