onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 1.6 W, 8-Pin SOIC FDS6912A

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

9,625 €

(ohne MwSt.)

11,45 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lieferengpass
  • 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 7.875 Einheit(en) mit Versand ab 12. Januar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 +0,385 €9,63 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
772-9225
Herst. Teile-Nr.:
FDS6912A
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.8nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links