STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 5 W, 8-Pin PowerFLAT

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Herst. Teile-Nr.:
STL60N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

STripFET H7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

16.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.4mm

Höhe

0.95mm

Breite

6.35mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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