STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1.5 kV / 2.5 A 140 W, 3-Pin H2PAK

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Herst. Teile-Nr.:
STH3N150-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.5kV

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

MDmesh

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

140W

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.8mm

Breite

15.8mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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