Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 109 W, 4-Pin SOT-669

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
798-2912P
Herst. Teile-Nr.:
PSMN1R7-30YL,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

77.9nC

Maximale Verlustleistung Pd

109W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.1mm

Länge

5mm

Breite

4.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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