Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 131 W, 4-Pin SOT-669

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Herst. Teile-Nr.:
PSMN2R6-40YS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-669

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

5mm

Breite

4.1mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 55 V


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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