onsemi RFD3055LESM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11 A 38 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
RFD3055LESM9A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RFD3055LESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

107mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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