IXYS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin IXFQ26N50P3 TO-3P

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

15,86 €

(ohne MwSt.)

18,88 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 162 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +7,93 €15,86 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
802-4458
Herst. Teile-Nr.:
IXFQ26N50P3
Marke:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Länge

15.8mm

Höhe

20.3mm

Automobilstandard

Nein

Distrelec Product Id

304-36-393

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links