IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 50 A 960 W, 3-Pin TO-3P

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RS Best.-Nr.:
168-4740
Herst. Teile-Nr.:
IXFQ50N50P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

50 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Gehäusegröße

TO-3P

Serie

HiperFET, Polar3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

125 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

960 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

15.8mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.9mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

85 nC @ 10 V

Höhe

20.3mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
US

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