IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 50 A 960 W, 3-Pin TO-3P

RS Best.-Nr.:: 168-4740
Herst. Teile-Nr.:: IXFQ50N50P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 50 A 960 W, 3-Pin TO-3P

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Herst. Teile-Nr.:: IXFQ50N50P3
Marke:: IXYS

IXFT50N50P3, IXFQ50N50P3, IXFH50N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Gehäusegröße	TO-3P
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	960 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	15.8mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.9mm
Höhe	20.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 50 A 960 W, 3-Pin TO-3P

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

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