IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 28 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
802-4451
Herst. Teile-Nr.:
IXFQ28N60P3
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

28 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-3PN

Serie

HiperFET, Polar3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

260 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Verlustleistung max.

695 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

50 nC @ 10 V

Länge

15.8mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.9mm

Höhe

20.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

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