onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3 A 2.1 W, 4-Pin SOT-223

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805-8717
Herst. Teile-Nr.:
NVF3055L108T1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-223

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

120mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

0.87V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

15 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.6nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1.65mm

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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