onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 75 V Erweiterung / 80 A 450 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 806-3428
- Herst. Teile-Nr.:
- FDH038AN08A1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 75 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 80 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 450 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.25 V | |
| Höhe | 20.82 mm | |
| Länge | 15.87 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.82 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie PowerTrench | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 75 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 80 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 450 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.25 V | ||
Höhe 20.82 mm | ||
Länge 15.87 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.82 mm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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