onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 160 W, 3-Pin TO-263

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759-9465
Herst. Teile-Nr.:
FDB088N08
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

11.33 mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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