onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 160 W, 3-Pin FDD8870 TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

2,31 €

(ohne MwSt.)

2,75 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 8.660 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 +0,462 €2,31 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
809-0950
Herst. Teile-Nr.:
FDD8870
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0039Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

91nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links