onsemi PowerTrench FDD770N15A N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 11,4 A 56,8 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 809-0938
Herst. Teile-Nr.:: FDD770N15A
Marke:: onsemi

onsemi PowerTrench FDD770N15A N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 11,4 A 56,8 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

150 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,774 €

(ohne MwSt.)

0,921 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 90	0,774 €	7,74 €
100 - 490	0,561 €	5,61 €
500 - 990	0,47 €	4,70 €
1000 - 2490	0,401 €	4,01 €
2500 +	0,389 €	3,89 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 809-0938
Herst. Teile-Nr.:: FDD770N15A
Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	11,4 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	PowerTrench
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	77 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	56,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,4 nC @ 10 V
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	2.39mm