onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 11.4 A 56.8 W, 3-Pin FDD770N15A TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
FDD770N15A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

77mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

56.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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