onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 24 A 270 W, 2-Pin TO-3PN

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RS Best.-Nr.:
809-5075
Herst. Teile-Nr.:
FDA24N50
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

24 A

Drain-Source-Spannung max.

500 V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-3PN

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

270 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Breite

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

15.8mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

20.1mm

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