Vishay SiHF530S Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
815-2613
Herst. Teile-Nr.:
SIHF530STRR-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiHF530S

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Durchlassspannung Vf

2.5V

Maximale Verlustleistung Pd

88W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Länge

10.67mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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