Vishay SIHF530STRR-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14 A 88 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 177-7490
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF530STRR-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 800)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | 0,862 € | 689,60 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 177-7490
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF530STRR-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 14 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 88 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 9.65mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 4.83mm |
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