Vishay SIHF9540STRL-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 815-2651
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9540STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
2,277 €
(ohne MwSt.)
2,71 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 40 | 2,277 € | 22,77 € |
50 - 90 | 2,141 € | 21,41 € |
100 - 240 | 1,936 € | 19,36 € |
250 - 490 | 1,821 € | 18,21 € |
500 + | 1,708 € | 17,08 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 815-2651
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9540STRL-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 13 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 9.65mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
Länge | 10.67mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Höhe | 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Verwandte Produkte
- Vishay SIHF9540STRL-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 13 A 150 W,...
- Vishay IRF9540SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 19 A 150 W, 3-Pin...
- Vishay SIHL540STRL-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 28 A 150 W,...
- Vishay TrenchFET SUM60061EL-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 150 A,...
- Vishay SIHF9620S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 2 A 40 W, 3-Pin...
- Vishay SIHF9630STRL-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 4 A 74 W,...
- Vishay SIHF9Z14S-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,7 A 43 W, 3-Pin...
- Vishay SQ Rugged SQM50P03-07_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 50 A...