Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS P

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 40 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ086P03NS3EGATMA1


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen zur Oberflächenmontage entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle elektronische Umgebungen geeignet ist, und ist für hohe Ableitströme und Verlustleistung ausgelegt. Das Gehäuse ist ein flaches 8-poliges TSDSON für eine effiziente Leiterplattenmontage und thermische Leistung.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 40 A unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Maximale Verlustleistung von 69 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 43.2 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 25-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 30-V-Drain‐Source-Nennleistung für Systeme mit mittlerer Spannung

Anwendungsbereich


• Geeignet für Point-of-Load-Leistungsumwandlungsmodule
• Ideal für synchrone Abwärtswandler
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Stromversorgungssystemen
• Kann für die Steuerung von Motor-Treiber-Low-Side/Power-Path verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations- und Server-Stromversorgungsschienen

Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für große Umgebungs- und Sperrschichtvariationen.

Wie viele Stifte und welche Befestigungsmethode wird verwendet?


Das Gerät verfügt über eine 8-polige Grundfläche und ist für die Oberflächenmontage in einem TSDSON-Gehäuse vorgesehen.

Welche elektrischen Eigenschaften begrenzen Leitungsverluste?


Der maximale Drain-Source-Widerstand des Geräts beträgt 13,4 mΩ, was den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und den Wirkungsgrad bestimmt.

Welche Gate-Driving-Bedenken sind für das Schaltdesign relevant?


Mit einer typischen Gate-Ladung von 43,2 nC und einer maximalen Gate-Source-Nennspannung von 25 V müssen Antriebsschaltkreise eine ausreichende Ladung liefern, während sie innerhalb der Spannungsgrenzen bleiben.

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