Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 40 A 69 W, 8-Pin BSZ086P03NS3EGATMA1 TSDSON

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Herst. Teile-Nr.:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS P

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.2nC

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P


Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.

Enhancement-Modus

Für Stoßentladung ausgelegt

Niedrige Schalt- und Leitungsverluste

Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform

Standardgehäuse

P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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