ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 1,25 W, 6-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 826-7740P
- Herst. Teile-Nr.:
- RRQ030P03TR
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 375 Stück (geliefert auf Rolle)*
55,125 €
(ohne MwSt.)
65,625 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 375 - 725 | 0,147 € |
| 750 - 1475 | 0,139 € |
| 1500 - 2975 | 0,136 € |
| 3000 + | 0,134 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 826-7740P
- Herst. Teile-Nr.:
- RRQ030P03TR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| Länge | 3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12 nC @ 10 V | ||
Länge 3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
- Ursprungsland:
- TH
P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Verwandte Links
- ROHM P-Kanal 6-Pin TSMT-8
- ROHM RQ6L035AT Typ P-Kanal 6-Pin TSMT
- ROHM RQ6L035AT Typ P-Kanal 6-Pin RQ6L035ATTCR TSMT
- ROHM RRR040P03 Typ P-Kanal 3-Pin RQ5E040RPTL TSMT
- ROHM P-Kanal 8-Pin TSMT-8
- ROHM P-Kanal 8-Pin TSMT-8
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1E050RPHZGTR TSMT-8
- ROHM RQ1 Typ P-Kanal 8-Pin RQ1E070RPHZGTR TSMT-8
