ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 2,5 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
826-7835P
Herst. Teile-Nr.:
RZR025P01TL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2,5 A

Drain-Source-Spannung max.

12 V

Gehäusegröße

TSMT

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

220 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Verlustleistung max.

1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-10 V, +10 V

Breite

1.6mm

Länge

2.9mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.85mm

Ursprungsland:
TH

P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM



MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor

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