Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 827-6191
Herst. Teile-Nr.:: TK32E12N1,S1X(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220

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50 - 95	1,142 €	5,71 €
100 - 245	1,086 €	5,43 €
250 - 495	0,962 €	4,81 €
500 +	0,902 €	4,51 €

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RS Best.-Nr.:: 827-6191
Herst. Teile-Nr.:: TK32E12N1,S1X(S
Marke:: Toshiba

TK32E12N1, MOSFET Silicon N-Channel MOS (U-MOS VIII-H)
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	120 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	13,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	98 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	34 nC @ 10 V
Länge	10.16mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.1mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 60 A 98 W, 3-Pin TO-220

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MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba

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