LND150N3-G N-Kanal MOSFET, 500 V / 30 mA, 740 mW, TO-92 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 829-3250
  • Herst. Teile-Nr. LND150N3-G
  • Marke Microchip
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 30 mA
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1 kΩ
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 740 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 5.2mm
Breite 4.19mm
120 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
320 weitere lieferbar innerhalb 1 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
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100 +
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