LND150N3-G N-Kanal MOSFET, 500 V / 30 mA, 740 mW, TO-92 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 829-3250
  • Herst. Teile-Nr. LND150N3-G
  • Marke Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 30 mA
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße TO-92
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1 kΩ
Channel-Modus Depletion
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 740 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5.2mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 5.33mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.19mm
300 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer VPE à 20)
0,359
(ohne MwSt.)
0,427
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 20
0,359 €
7,18 €
40 - 80
0,34 €
6,80 €
100 +
0,305 €
6,10 €
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: