Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 829-3250P
Herst. Teile-Nr.:: LND150N3-G
Marke:: Microchip

Microchip LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 mA
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	TO-92
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1 kΩ
Channel-Modus	Depletion
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	740 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.19mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5.2mm
Höhe	5.33mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C