Teile-Nr.

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 829-3250P
Herst. Teile-Nr.:: LND150N3-G
Marke:: Microchip

Microchip LND150 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	TO-92
	Serie	LND150
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1kΩ
	Channel-Modus	Entleerung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	740mW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.2mm
	Höhe	5.33mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Microchip
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße TO-92
	Serie LND150
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1kΩ
	Channel-Modus Entleerung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 740mW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.2mm
	Höhe 5.33mm
	Automobilstandard Nein

MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus

Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.

Merkmale

Hohe Eingangsimpedanz

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung

Niedriger Eingangs- und Leckstrom

Typische Anwendungen:

Schließerschalter

Halbleiterrelais

Wandler

Lineare Verstärker

Konstantstrom-Quellen

Netzteilschaltungen

Telekommunikation

MOSFET-Transistoren, Microchip

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