Microchip LND150 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Entleerung 500 V / 30 mA 740 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 829-3250P
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (40 Stück, geliefert in Beutel)*
20,44 €
(ohne MwSt.)
24,32 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.020 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
- Zusätzlich 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 04. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 40 - 80 | 0,511 € |
| 100 + | 0,459 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-3250P
- Herst. Teile-Nr.:
- LND150N3-G
- Marke:
- Microchip
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | LND150 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1kΩ | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 740mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.2mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Breite | 4.19mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie LND150 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1kΩ | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 740mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.2mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Breite 4.19mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus
Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind.
Merkmale
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedriger Eingangs- und Leckstrom
Typische Anwendungen:
Schließerschalter
Halbleiterrelais
Wandler
Lineare Verstärker
Konstantstrom-Quellen
Netzteilschaltungen
Telekommunikation