STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 STD2N80K5 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
829-7072P
Herst. Teile-Nr.:
STD2N80K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

45 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

+30 V

Breite

6.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

9,5 nC @ 10 V

Länge

6.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Höhe

2.4mm

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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