Infineon CoolMOS C6 IPD60R520C6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 8,1 A 66 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
897-7545P
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R520C6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8,1 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

520 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

66 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23,4 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS C6

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

RoHS Status: Nicht zutreffend

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