onsemi SuperFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 903-4131
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD7N60TM
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
10,09 €
(ohne MwSt.)
12,005 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 50 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 45 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 2.200 Einheit(en) mit Versand ab 27. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,018 € | 10,09 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4131
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD7N60TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SuperFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SuperFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
SuperFET® und SuperFET® II N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild hat die Hochspannungsleistungs-MOSFET-Familie SuperFET® II mit der Super Junction-Technologie eingeführt. Sie bietet eine Diode mit robustem Gehäuse und erstklassiger Leistung bei Anwendungen in AC/DC-Schaltnetzteilen (SMPS), z. B. Server, Telekommunikation, Computer, Industrie-Netzteil, UPS/ESS, Solar-Wechselrichter, Beleuchtungsanwendungen, die eine hohe Leistungsdichte, Systemeffizienz und Zuverlässigkeit erfordern.
Mit fortschrittlicher Ladungsbalance-Technologie erreichen Entwickler effizientere, kostengünstigere und leistungsstärkere Lösungen, die weniger Platz auf der Platine einnehmen und die Zuverlässigkeit erhöhen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi SuperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi Typ N-Kanal 4-Pin TO-252
- onsemi SuperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi SuperFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi NTD6415ANL Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi SuperFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220