Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 906-4292P
Herst. Teile-Nr.:: BSC039N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 69 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC039N06NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	100A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5.9mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	-20, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	27nC
	Maximale Verlustleistung Pd	69W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Länge	6.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC
	Maximale Verlustleistung Pd 69W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Länge 6.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.35mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC039N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Schaltgerät, das für Hochstromanwendungen entwickelt wurde und einen robusten Betrieb über einen breiten Temperaturbereich bietet. Er ist für die Oberflächenmontage vorgesehen und bietet eine effiziente Leitungs- und Schaltleistung für anspruchsvolle elektronische Systeme.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5.9 mΩ ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom von 100 A für die Handhabung schwerer Lasten
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für robusten Spannungsbereich
• Geringe Gate-Ladung von 27 nC ermöglicht schnelleres Schalten und geringere Antriebsenergie
• Maximale Verlustleistung 69 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern in Telekommunikationsgeräten
• Kann für Server- und Rechenzentren-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für industrielle Schalt- und Energiemanagementbaugruppen

Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?

Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Die Komponente wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Reflow-Lötprozesse konzipiert ist.

Was ist der Kanalmodus und wie wirkt er sich auf die Schaltung aus?

Er verwendet eine N-Kanal-Konfiguration im Enhancement-Modus, für die ein positiver Gate-Source-Antrieb erforderlich ist, und bietet herkömmliche Low-Side- und High-Side-Schalttopologiekompatibilität.

Welche Gate-Drive-Spannungsbegrenzung muss bei der Konstruktion beachtet werden?

Die maximal zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 20 V, und die Designs sollten die Gate-Exkursionen innerhalb dieses Schwellenwerts halten, um Schäden zu vermeiden.