STMicroelectronics STripFET F7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 125 W, 3-Pin STB100N6F7 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
STB100N6F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

STripFET F7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.6nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

4.6mm

Breite

9.35 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics


Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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