STMicroelectronics STripFET STB30NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-7891
Herst. Teile-Nr.:: STB30NF20
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET STB30NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 30 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Voraussichtlich ab 03.02.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)

1,092 €

(ohne MwSt.)

1,299 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
1000 +	1,092 €	1.092,00 €

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RS Best.-Nr.:: 168-7891
Herst. Teile-Nr.:: STB30NF20
Marke:: STMicroelectronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	30 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	STripFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	75 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	9.35mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.6mm