STMicroelectronics STripFET STB160N75F3 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 760-9828
Herst. Teile-Nr.:: STB160N75F3
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET STB160N75F3 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Herst. Teile-Nr.:: STB160N75F3
Marke:: STMicroelectronics

STB160N75F3, STP160N75F3-STW160N75F3, N-Channel 75V 3.5mOhm 120A TO-220, TO-247, D2PAK STripFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	120 A
Drain-Source-Spannung max.	75 V
Serie	STripFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	3,7 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	330 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.75mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	85 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	4.6mm

STMicroelectronics STripFET STB160N75F3 N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 120 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

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